Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD110N12N3GATMA1
IPD110N12N3GATMA1

IPD110N12N3GATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 75A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+52.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD110N12N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD110N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 75 A, 0.0092 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IPD110N12N3GATMA1 за ціною від 60.02 грн до 190.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPD110N12N3GATMA1 IPD110N12N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies dgdl?fileId=db3a30432239cccd0122a7a49e2b7d1d Description: MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 83µA (Typ)
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 60 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+66.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD110N12N3GATMA1 IPD110N12N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+76 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD110N12N3GATMA1 IPD110N12N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+77.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD110N12N3GATMA1 IPD110N12N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+86.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD110N12N3GATMA1 IPD110N12N3GATMA1 Виробник : INFINEON dgdl?fileId=db3a30432239cccd0122a7a49e2b7d1d Description: INFINEON - IPD110N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 75 A, 0.0092 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 33559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+112.75 грн
250+ 99.57 грн
500+ 76.37 грн
1000+ 68.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPD110N12N3GATMA1 IPD110N12N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
97+125 грн
105+ 115.77 грн
123+ 98.06 грн
200+ 89.31 грн
1000+ 74.56 грн
2000+ 67.45 грн
5000+ 65.87 грн
Мінімальне замовлення: 97
IPD110N12N3GATMA1 IPD110N12N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies dgdl?fileId=db3a30432239cccd0122a7a49e2b7d1d Description: MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 83µA (Typ)
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 60 V
на замовлення 9261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+146.74 грн
10+ 117.73 грн
100+ 93.7 грн
500+ 74.4 грн
1000+ 63.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPD110N12N3GATMA1 IPD110N12N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD_S110N12N3_G_DS_v02_04_EN-1226925.pdf MOSFETs N
на замовлення 25527 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+159.9 грн
10+ 131.75 грн
100+ 91.37 грн
500+ 75.91 грн
1000+ 65.3 грн
2500+ 61.99 грн
5000+ 60.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPD110N12N3GATMA1 IPD110N12N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+169.27 грн
10+ 152.92 грн
25+ 151.93 грн
100+ 122.72 грн
250+ 109.64 грн
500+ 87.26 грн
1000+ 73.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPD110N12N3GATMA1 IPD110N12N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
67+182.29 грн
74+ 163.61 грн
100+ 132.16 грн
250+ 118.08 грн
500+ 93.97 грн
1000+ 79.05 грн
Мінімальне замовлення: 67
IPD110N12N3GATMA1 IPD110N12N3GATMA1 Виробник : INFINEON dgdl?fileId=db3a30432239cccd0122a7a49e2b7d1d Description: INFINEON - IPD110N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 75 A, 0.0092 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 33559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+190.02 грн
10+ 128.52 грн
100+ 112.75 грн
250+ 99.57 грн
500+ 76.37 грн
1000+ 68.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPD110N12N3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES dgdl?fileId=db3a30432239cccd0122a7a49e2b7d1d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 54A; Idm: 300A; 136W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 54A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 300A
Case: PG-TO252-3
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
IPD110N12N3GATMA1 IPD110N12N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IPD110N12N3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES dgdl?fileId=db3a30432239cccd0122a7a49e2b7d1d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 54A; Idm: 300A; 136W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 54A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 300A
Case: PG-TO252-3
товар відсутній