![IPD110N12N3GATMA1 IPD110N12N3GATMA1](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2017/2/22/9/25/12/879/smn_/manual/pg-to252-3-11_lowres.jpg_4721497711.jpg)
IPD110N12N3GATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 52.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD110N12N3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD110N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 75 A, 0.0092 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IPD110N12N3GATMA1 за ціною від 60.02 грн до 190.02 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPD110N12N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 83µA (Typ) Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 60 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPD110N12N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPD110N12N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPD110N12N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 70000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPD110N12N3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 33559 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPD110N12N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 6219 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPD110N12N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 83µA (Typ) Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 60 V |
на замовлення 9261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPD110N12N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 25527 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPD110N12N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPD110N12N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPD110N12N3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 33559 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IPD110N12N3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 54A; Idm: 300A; 136W Mounting: SMD Drain-source voltage: 120V Drain current: 54A On-state resistance: 11mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 136W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 300A Case: PG-TO252-3 кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
![]() |
IPD110N12N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
IPD110N12N3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 54A; Idm: 300A; 136W Mounting: SMD Drain-source voltage: 120V Drain current: 54A On-state resistance: 11mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 136W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 300A Case: PG-TO252-3 |
товар відсутній |