IPC70N04S5-4R6

IPC70N04S5-4R6 INFINEON TECHNOLOGIES


Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 70A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 70A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24.2nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPC70N04S5-4R6 INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 70A; 50W; PG-TDSON-8, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: OptiMOS™ 5, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 70A, Power dissipation: 50W, Case: PG-TDSON-8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 4.6mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 24.2nC, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції IPC70N04S5-4R6

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPC70N04S5-4R6 IPC70N04S5-4R6 Виробник : Infineon Technologies Infineon MOSFET_(20V 40V)
товар відсутній
IPC70N04S5-4R6 IPC70N04S5-4R6 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 70A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 70A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24.2nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній