Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPC50N04S5L5R5ATMA1
IPC50N04S5L5R5ATMA1

IPC50N04S5L5R5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPC50N04S5L-5R5-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d46253f65057015419c26dd952ec Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 50A 8TDSON-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1209 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+28.03 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPC50N04S5L5R5ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 50A 8TDSON-33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 13µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1209 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IPC50N04S5L5R5ATMA1 за ціною від 23.52 грн до 74.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPC50N04S5L5R5ATMA1 IPC50N04S5L5R5ATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPC50N04S5L-5R5-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d46253f65057015419c26dd952ec Description: INFINEON - IPC50N04S5L5R5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0044 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
на замовлення 14520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+42.92 грн
250+ 36.82 грн
1000+ 26.72 грн
3000+ 23.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPC50N04S5L5R5ATMA1 IPC50N04S5L5R5ATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPC50N04S5L-5R5-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d46253f65057015419c26dd952ec Description: INFINEON - IPC50N04S5L5R5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0044 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
на замовлення 14520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+57.23 грн
50+ 42.92 грн
250+ 36.82 грн
1000+ 26.72 грн
3000+ 23.52 грн
Мінімальне замовлення: 14
IPC50N04S5L5R5ATMA1 IPC50N04S5L5R5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPC50N04S5L-5R5-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d46253f65057015419c26dd952ec Description: MOSFET N-CH 40V 50A 8TDSON-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1209 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+70.86 грн
10+ 56.04 грн
100+ 43.6 грн
500+ 34.69 грн
1000+ 28.26 грн
2000+ 26.6 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPC50N04S5L5R5ATMA1 IPC50N04S5L5R5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPC50N04S5L_5R5_DS_v01_02_EN-1731653.pdf MOSFETs N
на замовлення 140162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+74.88 грн
10+ 56.5 грн
100+ 40.28 грн
500+ 34.64 грн
1000+ 27.11 грн
2500+ 26.76 грн
5000+ 25.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPC50N04S5L5R5ATMA1 Виробник : Infineon Infineon-IPC50N04S5L-5R5-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d46253f65057015419c26dd952ec
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPC50N04S5L5R5ATMA1 IPC50N04S5L5R5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 475905149171998infineon-ipc50n04s5l-5r5-ds-v01_00-en.pdffileid5546d46253f6505701.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній