Технічний опис IPC218N06N3X7SA1 Infineon Technologies
Description: MV POWER MOS, Packaging: Bulk, Package / Case: Die, Mounting Type: Surface Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA, Supplier Device Package: Die, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V.
Інші пропозиції IPC218N06N3X7SA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IPC218N06N3X7SA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MV POWER MOSPackaging: Bulk Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA Supplier Device Package: Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V |
товар відсутній |
||
| IPC218N06N3X7SA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MV POWER MOS |
товар відсутній |