Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPBE65R115CFD7AATMA1
IPBE65R115CFD7AATMA1

IPBE65R115CFD7AATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPBE65R115CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170f33391547c90 Виробник: Infineon Technologies
Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 400 V
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+341.84 грн
10+ 276.2 грн
100+ 223.43 грн
500+ 186.38 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPBE65R115CFD7AATMA1 Infineon Technologies

Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 9.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 114W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA, Supplier Device Package: PG-TO263-7-11, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IPBE65R115CFD7AATMA1 за ціною від 153.07 грн до 367.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPBE65R115CFD7AATMA1 IPBE65R115CFD7AATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPBE65R115CFD7A_DataSheet_v02_02_EN-3362550.pdf MOSFETs N
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+367.04 грн
10+ 305.01 грн
100+ 214.44 грн
500+ 190.46 грн
1000+ 162.95 грн
2000+ 153.07 грн
IPBE65R115CFD7AATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipbe65r115cfd7a-datasheet-v02_02-en.pdf N-Channel MOSFET Transistor
товар відсутній
IPBE65R115CFD7AATMA1 IPBE65R115CFD7AATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPBE65R115CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170f33391547c90 Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 400 V
товар відсутній