IPBE65R050CFD7AATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 45A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 24.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.24mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4975 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 325.74 грн |
| 2000+ | 293.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPBE65R050CFD7AATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 45A TO263-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 24.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 227W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.24mA, Supplier Device Package: PG-TO263-7-3-10, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4975 pF @ 400 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції IPBE65R050CFD7AATMA1 за ціною від 327.09 грн до 907.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPBE65R050CFD7AATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 45A TO263-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 24.8A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.24mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-3-10 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4975 pF @ 400 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2851 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPBE65R050CFD7AATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET AUTOMOTIVE |
на замовлення 1943 шт: термін постачання 461-470 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IPBE65R050CFD7AATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
N-Channel MOSFET Transistor |
товар відсутній |