Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB90R340C3ATMA2
IPB90R340C3ATMA2

IPB90R340C3ATMA2 Infineon Technologies

ipb90r340c3finaldatasheet.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+210.42 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB90R340C3ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB90R340C3ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 208W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C3, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPB90R340C3ATMA2 за ціною від 191.16 грн до 468.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPB90R340C3ATMA2 IPB90R340C3ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB90R340C3-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336c52a950136c5c59ef500ad Description: MOSFET N-CH 900V 15A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+213.78 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPB90R340C3ATMA2 IPB90R340C3ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipb90r340c3finaldatasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+226.09 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPB90R340C3ATMA2 IPB90R340C3ATMA2 Виробник : INFINEON 2255644.pdf Description: INFINEON - IPB90R340C3ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C3
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+349.76 грн
50+ 288.03 грн
200+ 263.79 грн
500+ 219.08 грн
Мінімальне замовлення: 10
IPB90R340C3ATMA2 IPB90R340C3ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB90R340C3-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336c52a950136c5c59ef500ad Description: MOSFET N-CH 900V 15A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 100 V
на замовлення 1834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+413.57 грн
10+ 334.4 грн
100+ 270.48 грн
500+ 225.63 грн
IPB90R340C3ATMA2 IPB90R340C3ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB90R340C3_DS_v02_00_en-1622465.pdf MOSFETs LOW POWER_LEGACY
на замовлення 1784 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+432.05 грн
10+ 357.74 грн
25+ 298.38 грн
100+ 251.82 грн
250+ 248.3 грн
500+ 223.61 грн
1000+ 191.16 грн
IPB90R340C3ATMA2 IPB90R340C3ATMA2 Виробник : INFINEON 2255644.pdf Description: INFINEON - IPB90R340C3ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C3
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+468.45 грн
10+ 349.76 грн
50+ 288.03 грн
200+ 263.79 грн
500+ 219.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPB90R340C3ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipb90r340c3finaldatasheet.pdf Power MOSFET Transistor
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPB90R340C3ATMA2 IPB90R340C3ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipb90r340c3finaldatasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній