Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB80P04P4L08ATMA2
IPB80P04P4L08ATMA2

IPB80P04P4L08ATMA2 Infineon Technologies

IPx80P04P4L-08_rev1.2_7-3-19.pdf Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+84.52 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB80P04P4L08ATMA2 Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 75W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 120µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +5V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IPB80P04P4L08ATMA2 за ціною від 92.18 грн до 171.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPB80P04P4L08ATMA2 IPB80P04P4L08ATMA2 Виробник : Infineon Technologies IPx80P04P4L-08_rev1.2_7-3-19.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+171.68 грн
10+ 148.72 грн
100+ 119.56 грн
500+ 92.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPB80P04P4L08ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPP_B_I80P04P4L_08_DataSheet_v01_01_EN-1730691.pdf MOSFET MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IPB80P04P4L08ATMA2 IPB80P04P4L08ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipp_b_i80p04p4l-08-datasheet-v01_01-en.pdf Power MOSFET Transistor
товар відсутній