IPB80P04P4L06ATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 386-395 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 185.17 грн |
| 10+ | 151.69 грн |
| 100+ | 105.1 грн |
| 250+ | 97.34 грн |
| 500+ | 88.17 грн |
| 1000+ | 75.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB80P04P4L06ATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 88W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 150µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6580 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції IPB80P04P4L06ATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB80P04P4L06ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6580 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |