Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB80P04P405ATMA2
IPB80P04P405ATMA2

IPB80P04P405ATMA2 Infineon Technologies

Infineon-IPP_B_I80P04P4_05-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f7833bcf12e3a Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+106.85 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB80P04P405ATMA2 Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Part Status: Active, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IPB80P04P405ATMA2 за ціною від 97.57 грн до 221.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPB80P04P405ATMA2 IPB80P04P405ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I80P04P4_05-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f7833bcf12e3a Description: MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+206.56 грн
10+ 167.04 грн
100+ 135.19 грн
500+ 112.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPB80P04P405ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPP_B_I80P04P4_05_DS_v01_00_en-1731948.pdf MOSFET MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 4943 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+221.15 грн
10+ 183.53 грн
25+ 157.5 грн
100+ 128.93 грн
250+ 126.84 грн
500+ 114.99 грн
1000+ 97.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPB80P04P405ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipp_b_i80p04p4-05_ds_10.pdf Power MOSFET Transistor
товар відсутній