Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB80N06S4L07ATMA2
IPB80N06S4L07ATMA2

IPB80N06S4L07ATMA2 Infineon Technologies

Infineon-IPP_B_I80N06S4L_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038ea8e6c0d10 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+58.22 грн
2000+ 53.26 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB80N06S4L07ATMA2 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 79W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IPB80N06S4L07ATMA2 за ціною від 50.96 грн до 132.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPB80N06S4L07ATMA2 IPB80N06S4L07ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I80N06S4L_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038ea8e6c0d10 Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+122.41 грн
10+ 98.11 грн
100+ 78.08 грн
500+ 62 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPB80N06S4L07ATMA2 IPB80N06S4L07ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPP_B_I80N06S4L_07_DS_v01_00_en-1227111.pdf MOSFETs N-Ch 60V 80A D2PAK-2
на замовлення 1972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+132.02 грн
10+ 108.31 грн
100+ 75.21 грн
250+ 73.1 грн
500+ 62.69 грн
1000+ 53.7 грн
2000+ 50.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPB80N06S4L07ATMA2 Виробник : Infineon Infineon-IPP_B_I80N06S4L_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038ea8e6c0d10
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPB80N06S4L07ATMA2 IPB80N06S4L07ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipp_b_i80n06s4l-07_ds_10.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній