Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB80N06S2L11ATMA2
IPB80N06S2L11ATMA2

IPB80N06S2L11ATMA2 Infineon Technologies

Infineon_IPP_B_I80N06S2L_11_DS_v01_01_en-1731831.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N
на замовлення 1003 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+169.74 грн
10+ 138.75 грн
100+ 95.81 грн
250+ 92.26 грн
500+ 80.2 грн
1000+ 63.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB80N06S2L11ATMA2 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 158W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 93µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IPB80N06S2L11ATMA2 за ціною від 68.15 грн до 207.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPB80N06S2L11ATMA2 IPB80N06S2L11ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I80N06S2L_11-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4333e375ac6&ack=t Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 25 V
на замовлення 827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+207.28 грн
10+ 129.82 грн
100+ 89.79 грн
500+ 68.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPB80N06S2L11ATMA2 Виробник : Infineon Infineon-IPP_B_I80N06S2L_11-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4333e375ac6&ack=t
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPB80N06S2L11ATMA2 IPB80N06S2L11ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipp_b_i80n06s2l-11_green.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
IPB80N06S2L11ATMA2 IPB80N06S2L11ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipp_b_i80n06s2l-11_green.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
IPB80N06S2L11ATMA2 IPB80N06S2L11ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I80N06S2L_11-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4333e375ac6&ack=t Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 25 V
товару немає в наявності