Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB80N06S2H5ATMA2
IPB80N06S2H5ATMA2

IPB80N06S2H5ATMA2 Infineon Technologies

Infineon-IPP_B80N06S2_H5-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4333c6c5ac2&ack=t Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+242.54 грн
10+ 196.29 грн
100+ 158.79 грн
500+ 132.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB80N06S2H5ATMA2 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IPB80N06S2H5ATMA2 за ціною від 108.94 грн до 260.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPB80N06S2H5ATMA2 IPB80N06S2H5ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPP_B80N06S2_H5_DS_v01_00_en-1731964.pdf MOSFETs N
на замовлення 3714 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+260.76 грн
10+ 215.81 грн
25+ 177.12 грн
100+ 151.82 грн
250+ 143.38 грн
500+ 134.95 грн
1000+ 108.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPB80N06S2H5ATMA2 IPB80N06S2H5ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipp_b80n06s2-h5_green.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IPB80N06S2H5ATMA2 IPB80N06S2H5ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipp_b80n06s2-h5_green.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IPB80N06S2H5ATMA2 IPB80N06S2H5ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP_B80N06S2_H5-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4333c6c5ac2&ack=t Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
товар відсутній