Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB70N10S3L12ATMA1
IPB70N10S3L12ATMA1

IPB70N10S3L12ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPP_B_I70N10S3L-DS-v01_02-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a907bea255942&ack=t Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 83µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5550 pF @ 25 V
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+94.3 грн
2000+ 86.26 грн
5000+ 83.02 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB70N10S3L12ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 70A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 83µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5550 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IPB70N10S3L12ATMA1 за ціною від 100.43 грн до 198.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPB70N10S3L12ATMA1 IPB70N10S3L12ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I70N10S3L-DS-v01_02-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a907bea255942&ack=t Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 83µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5550 pF @ 25 V
на замовлення 19976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+198.27 грн
10+ 158.91 грн
100+ 126.48 грн
500+ 100.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPB70N10S3L12ATMA1 IPB70N10S3L12ATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipp_b_i70n10s3l-12_ds_1_0_neu.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 70A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPB70N10S3L12ATMA1 Виробник : Infineon Infineon-IPP_B_I70N10S3L-DS-v01_02-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a907bea255942&ack=t
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)