Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB65R660CFDAATMA1
IPB65R660CFDAATMA1

IPB65R660CFDAATMA1 Infineon Technologies

INFN-S-A0003823031-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 543 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+63.27 грн
2000+56.57 грн
3000+55.66 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB65R660CFDAATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 650V 6A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 3.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 543 pF @ 100 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IPB65R660CFDAATMA1 за ціною від 62.05 грн до 193.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB65R660CFDAATMA1 IPB65R660CFDAATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPX65R660CFDA_DS_v02_03_EN-1731997.pdf MOSFETs N-Ch 650V 6A D2PAK-2
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.49 грн
10+137.90 грн
100+106.67 грн
250+105.94 грн
500+95.64 грн
1000+81.66 грн
2000+77.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R660CFDAATMA1 IPB65R660CFDAATMA1 Виробник : Infineon Technologies INFN-S-A0003823031-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 650V 6A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 543 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+193.38 грн
10+120.01 грн
100+82.26 грн
500+62.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R660CFDAATMA1 Виробник : Infineon INFN-S-A0003823031-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.