Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB65R310CFDAATMA1
IPB65R310CFDAATMA1

IPB65R310CFDAATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPX65R310CFDA-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336797ff90136bafdd723265d Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 11.4A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 104.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+214.42 грн
10+ 173.41 грн
100+ 140.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB65R310CFDAATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 650V 11.4A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 104.2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 440µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 100 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IPB65R310CFDAATMA1 за ціною від 97.34 грн до 232.9 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPB65R310CFDAATMA1 IPB65R310CFDAATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPX65R310CFDA_DS_v02_00_en-1227525.pdf MOSFET N-Ch 650V 11.4A D2PAK-2
на замовлення 2799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+232.9 грн
10+ 193.07 грн
25+ 162.95 грн
100+ 136.14 грн
250+ 131.91 грн
500+ 121.33 грн
1000+ 97.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPB65R310CFDAATMA1 IPB65R310CFDAATMA1 Виробник : Infineon Technologies ds_ipx65r310cfda_2_0.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 11.4A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IPB65R310CFDAATMA1 IPB65R310CFDAATMA1 Виробник : Infineon Technologies ds_ipx65r310cfda_2_0.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 11.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IPB65R310CFDAATMA1 IPB65R310CFDAATMA1 Виробник : Infineon Technologies ds_ipx65r310cfda_2_0.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 11.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IPB65R310CFDAATMA1 IPB65R310CFDAATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPX65R310CFDA-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336797ff90136bafdd723265d Description: MOSFET N-CH 650V 11.4A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 104.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній