Технічний опис IPB65R225C7ATMA1 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 63W; PG-TO263-3, Technology: CoolMOS™, Case: PG-TO263-3, Mounting: SMD, On-state resistance: 0.225Ω, Power dissipation: 63W, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: 650V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Polarisation: unipolar, Drain current: 11A, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IPB65R225C7ATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB65R225C7ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 63W; PG-TO263-3 Technology: CoolMOS™ Case: PG-TO263-3 Mounting: SMD On-state resistance: 0.225Ω Power dissipation: 63W Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 650V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar Drain current: 11A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
IPB65R225C7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO-263-3 |
товар відсутній |
|
|
|
IPB65R225C7ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 63W; PG-TO263-3 Technology: CoolMOS™ Case: PG-TO263-3 Mounting: SMD On-state resistance: 0.225Ω Power dissipation: 63W Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 650V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar Drain current: 11A |
товар відсутній |