Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB65R190CFD7AATMA1
IPB65R190CFD7AATMA1

IPB65R190CFD7AATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPB65R190CFD7A-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201751c530f6542c3 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 14A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1291 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+247.27 грн
10+ 199.71 грн
100+ 161.55 грн
500+ 134.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB65R190CFD7AATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 650V 14A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 77W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3, Grade: Automotive, Part Status: Active, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1291 pF @ 400 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IPB65R190CFD7AATMA1 за ціною від 124.75 грн до 282.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPB65R190CFD7AATMA1 IPB65R190CFD7AATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB65R190CFD7A_DataSheet_v02_01_EN-3362448.pdf MOSFET AUTOMOTIVE
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+282.13 грн
10+ 233.22 грн
25+ 190.95 грн
100+ 163.77 грн
250+ 154.71 грн
500+ 145.65 грн
1000+ 124.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPB65R190CFD7AATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb65r190cfd7a-datasheet-v02_01-en.pdf N-Channel MOSFET Transistor
товар відсутній
IPB65R190CFD7AATMA1 IPB65R190CFD7AATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB65R190CFD7A-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201751c530f6542c3 Description: MOSFET N-CH 650V 14A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1291 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній