Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB65R125C7ATMA2
IPB65R125C7ATMA2

IPB65R125C7ATMA2 Infineon Technologies

3636ds_ipb65r125c7_2_0.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfil.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+181.86 грн
2000+ 169.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB65R125C7ATMA2 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 101W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 440µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IPB65R125C7ATMA2 за ціною від 179.26 грн до 328.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPB65R125C7ATMA2 IPB65R125C7ATMA2 Виробник : Infineon Technologies 3636ds_ipb65r125c7_2_0.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfil.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+195.85 грн
2000+ 182.8 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPB65R125C7ATMA2 IPB65R125C7ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB65R125C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30434208e5fd0142094d378001a5 Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 400 V
на замовлення 787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+328.11 грн
10+ 265.62 грн
100+ 214.89 грн
500+ 179.26 грн
IPB65R125C7ATMA2 IPB65R125C7ATMA2 Виробник : Infineon Technologies 3636ds_ipb65r125c7_2_0.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfil.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IPB65R125C7ATMA2 IPB65R125C7ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB65R125C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30434208e5fd0142094d378001a5 Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 400 V
товар відсутній
IPB65R125C7ATMA2 IPB65R125C7ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB65R125C7_DS_v02_00_en-1731727.pdf MOSFET HIGH POWER_NEW
товар відсутній