Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB65R110CFDATMA2
IPB65R110CFDATMA2

IPB65R110CFDATMA2 Infineon Technologies

DS_IPX65R110CFD_2_61.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30433004641301306abd8e2041b1 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+244.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB65R110CFDATMA2 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA, Supplier Device Package: PG-TO263-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPB65R110CFDATMA2 за ціною від 257.56 грн до 472.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPB65R110CFDATMA2 IPB65R110CFDATMA2 Виробник : Infineon Technologies DS_IPX65R110CFD_2_61.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30433004641301306abd8e2041b1 Description: MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+472.32 грн
10+ 381.72 грн
100+ 308.76 грн
500+ 257.56 грн
IPB65R110CFDATMA2 IPB65R110CFDATMA2 Виробник : Infineon Technologies ds_ipx65r110cfd_2_61.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IPB65R110CFDATMA2 IPB65R110CFDATMA2 Виробник : Infineon Technologies ds_ipx65r110cfd_2_61.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IPB65R110CFDATMA2 IPB65R110CFDATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPX65R110CFD_DS_v02_06_en-1485074.pdf MOSFET HIGH POWER_LEGACY
товар відсутній