IPB65R095C7ATMA2 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 24A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 214.94 грн |
| 2000+ | 194.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB65R095C7ATMA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB65R095C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.084 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 128, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 128, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: CoolMOS C7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.084, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IPB65R095C7ATMA2 за ціною від 226.86 грн до 498.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB65R095C7ATMA2 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB65R095C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.084 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 128 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPB65R095C7ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V Power Dissipation (Max): 128W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V |
на замовлення 3189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPB65R095C7ATMA2 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB65R095C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.084 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 128 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5 euEccn: NLR Verlustleistung: 128 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.084 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPB65R095C7ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET HIGH POWER_NEW |
на замовлення 1854 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPB65R095C7ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IPB65R095C7ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IPB65R095C7ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |