Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB65R045C7ATMA2
IPB65R045C7ATMA2

IPB65R045C7ATMA2 Infineon Technologies

ds_ipb65r045c7_2_1.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+400.78 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB65R045C7ATMA2 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 227W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA, Supplier Device Package: PG-TO263-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IPB65R045C7ATMA2 за ціною від 400.78 грн до 972.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPB65R045C7ATMA2 IPB65R045C7ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ds_ipb65r045c7_2_1.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+400.78 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPB65R045C7ATMA2 IPB65R045C7ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB65R045C7-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433e78ea82013e790478550043 Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V
на замовлення 821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+814.17 грн
10+ 671.89 грн
100+ 559.93 грн
500+ 463.65 грн
IPB65R045C7ATMA2 IPB65R045C7ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB65R045C7_DS_v02_01_en-1226920.pdf MOSFET HIGH POWER_NEW
на замовлення 4739 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+972.73 грн
10+ 845.27 грн
25+ 714.56 грн
50+ 675.06 грн
100+ 634.85 грн
250+ 615.1 грн
500+ 575.6 грн
IPB65R045C7ATMA2 IPB65R045C7ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB65R045C7-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433e78ea82013e790478550043 Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)