IPB65R045C7ATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 2983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB65R045C7ATMA1 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 227W; PG-TO263-3, Technology: CoolMOS™, Case: PG-TO263-3, Mounting: SMD, On-state resistance: 45mΩ, Power dissipation: 227W, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: 650V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Polarisation: unipolar, Drain current: 46A, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IPB65R045C7ATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB65R045C7ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 227W; PG-TO263-3 Technology: CoolMOS™ Case: PG-TO263-3 Mounting: SMD On-state resistance: 45mΩ Power dissipation: 227W Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 650V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar Drain current: 46A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
IPB65R045C7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 46A D2PAK |
товар відсутній |
|
|
|
IPB65R045C7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 46A D2PAK |
товар відсутній |
|
|
|
IPB65R045C7ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 227W; PG-TO263-3 Technology: CoolMOS™ Case: PG-TO263-3 Mounting: SMD On-state resistance: 45mΩ Power dissipation: 227W Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 650V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar Drain current: 46A |
товар відсутній |