IPB60R299CPATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB60R299CPATMA1 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 96W; PG-TO263-3, Mounting: SMD, Case: PG-TO263-3, Power dissipation: 96W, Technology: CoolMOS™ CP, Drain current: 11A, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: 600V, Type of transistor: N-MOSFET, On-state resistance: 0.299Ω, Gate-source voltage: ±20V, Polarisation: unipolar, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IPB60R299CPATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB60R299CPATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 96W; PG-TO263-3 Mounting: SMD Case: PG-TO263-3 Power dissipation: 96W Technology: CoolMOS™ CP Drain current: 11A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 600V Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 0.299Ω Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
IPB60R299CPATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO263-3 |
товар відсутній |
|
|
|
IPB60R299CPATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO263-3 |
товар відсутній |
|
|
|
IPB60R299CPATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO263-3 |
товар відсутній |
|
|
|
IPB60R299CPATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 96W; PG-TO263-3 Mounting: SMD Case: PG-TO263-3 Power dissipation: 96W Technology: CoolMOS™ CP Drain current: 11A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 600V Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 0.299Ω Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar |
товар відсутній |