IPB60R250CPATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 62000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB60R250CPATMA1 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; 104W; PG-TO263-3-2, Mounting: SMD, Case: PG-TO263-3-2, Power dissipation: 104W, Technology: CoolMOS™ CP, Drain current: 12A, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: 600V, Type of transistor: N-MOSFET, On-state resistance: 0.25Ω, Gate-source voltage: ±20V, Polarisation: unipolar, кількість в упаковці: 1000 шт.
Інші пропозиції IPB60R250CPATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB60R250CPATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; 104W; PG-TO263-3-2 Mounting: SMD Case: PG-TO263-3-2 Power dissipation: 104W Technology: CoolMOS™ CP Drain current: 12A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 600V Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 0.25Ω Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1000 шт |
товар відсутній |
|
 |
IPB60R250CPATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 600V 12A D2PAK-2 CoolMOS CP |
товар відсутній |
|
|
|
IPB60R250CPATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; 104W; PG-TO263-3-2 Mounting: SMD Case: PG-TO263-3-2 Power dissipation: 104W Technology: CoolMOS™ CP Drain current: 12A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 600V Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 0.25Ω Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar |
товар відсутній |