IPB60R165CPATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 158.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB60R165CPATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB60R165CPATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.15 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 192W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IPB60R165CPATMA1 за ціною від 160.89 грн до 397.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB60R165CPATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO263-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 192W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 790µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPB60R165CPATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB60R165CPATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.15 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 192W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 538 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPB60R165CPATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 192W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 790µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V |
на замовлення 6043 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPB60R165CPATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPB60R165CPATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 650V 21A D2PAK-2 CoolMOS CP |
на замовлення 669 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPB60R165CPATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPB60R165CPATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB60R165CPATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.15 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 192W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 538 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPB60R165CPATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IPB60R165CPATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 192W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CP Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 21A Power dissipation: 192W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.165Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IPB60R165CPATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 192W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CP Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 21A Power dissipation: 192W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.165Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |