Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB60R160P6ATMA1
IPB60R160P6ATMA1

IPB60R160P6ATMA1 Infineon Technologies

Infineon_IPB60R160P6_DS_v02_02_EN-1731695.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFET HIGH POWER_PRICE/PERFORM
на замовлення 2084 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+270.75 грн
10+ 223.89 грн
25+ 189.04 грн
100+ 158.01 грн
250+ 148.84 грн
500+ 143.19 грн
1000+ 122.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB60R160P6ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 23.8A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 176W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 750µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPB60R160P6ATMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPB60R160P6ATMA1 IPB60R160P6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPX60R160P6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a3043414fd3ef01415efd27711e0b Description: MOSFET N-CH 600V 23.8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 750µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 100 V
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPB60R160P6ATMA1 Виробник : Infineon Infineon-IPX60R160P6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a3043414fd3ef01415efd27711e0b
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPB60R160P6ATMA1 IPB60R160P6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb60r160p6-ds-v02_02-en.pdffileid5546d4624e765da5014eda.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IPB60R160P6ATMA1 IPB60R160P6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb60r160p6-ds-v02_02-en.pdffileid5546d4624e765da5014eda.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IPB60R160P6ATMA1 IPB60R160P6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPX60R160P6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a3043414fd3ef01415efd27711e0b Description: MOSFET N-CH 600V 23.8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 750µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 100 V
товар відсутній