Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB60R120P7ATMA1
IPB60R120P7ATMA1

IPB60R120P7ATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipb60r120p7-ds-v02_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+97.58 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB60R120P7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB60R120P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 95W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm.

Інші пропозиції IPB60R120P7ATMA1 за ціною від 97.9 грн до 345.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPB60R120P7ATMA1 IPB60R120P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB60R120P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f2a901853048b Description: MOSFET N-CH 600V 26A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+107.97 грн
2000+ 97.9 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPB60R120P7ATMA1 IPB60R120P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb60r120p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+127.15 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPB60R120P7ATMA1 IPB60R120P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb60r120p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+141.96 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPB60R120P7ATMA1 IPB60R120P7ATMA1 Виробник : INFINEON 2576641.pdf Description: INFINEON - IPB60R120P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+160.85 грн
500+ 140.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPB60R120P7ATMA1 IPB60R120P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB60R120P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f2a901853048b Description: MOSFET N-CH 600V 26A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V
на замовлення 2921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+209.08 грн
10+ 168.83 грн
100+ 136.6 грн
500+ 113.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPB60R120P7ATMA1 IPB60R120P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB60R120P7_DS_v02_01_EN-3362577.pdf MOSFET HIGH POWER_NEW
на замовлення 13914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+260.76 грн
10+ 215.81 грн
25+ 178.53 грн
100+ 151.82 грн
250+ 143.38 грн
500+ 134.95 грн
1000+ 111.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPB60R120P7ATMA1 IPB60R120P7ATMA1 Виробник : INFINEON 2576641.pdf Description: INFINEON - IPB60R120P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+281.48 грн
10+ 198.69 грн
100+ 160.85 грн
500+ 140.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPB60R120P7ATMA1 IPB60R120P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb60r120p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
35+345.55 грн
39+ 310.39 грн
50+ 278.25 грн
100+ 245.06 грн
200+ 225.12 грн
500+ 192 грн
1000+ 176.5 грн
2000+ 161.01 грн
4000+ 152.4 грн
Мінімальне замовлення: 35
IPB60R120P7ATMA1 IPB60R120P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb60r120p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IPB60R120P7ATMA1 IPB60R120P7ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R120P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 95W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 95W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPB60R120P7ATMA1 IPB60R120P7ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R120P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 95W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 95W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній