на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 323.08 грн |
| 10+ | 267.54 грн |
| 25+ | 215.07 грн |
| 100+ | 188.37 грн |
| 250+ | 184.85 грн |
| 500+ | 163.77 грн |
| 1000+ | 139.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB60R099P7ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB60R099P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.077 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 31, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 117, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 117, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.077, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IPB60R099P7ATMA1 за ціною від 228.43 грн до 443.9 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB60R099P7ATMA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IPB60R099P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.077 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 117 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5 euEccn: NLR Verlustleistung: 117 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.077 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 983 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPB60R099P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
IPB60R099P7ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 117W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Power dissipation: 117W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 99mΩ Mounting: SMD Gate charge: 45nC Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
IPB60R099P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 31A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 117W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
IPB60R099P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 31A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 117W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
IPB60R099P7ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 117W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Power dissipation: 117W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 99mΩ Mounting: SMD Gate charge: 45nC Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |