Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB60R099CPATMA1
IPB60R099CPATMA1

IPB60R099CPATMA1 Infineon Technologies

243726483621547dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a304412b4079.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+292.7 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB60R099CPATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB60R099CPATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 31A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 255W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IPB60R099CPATMA1 за ціною від 290.82 грн до 660.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPB60R099CPATMA1 IPB60R099CPATMA1 Виробник : Infineon Technologies 243726483621547dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a304412b4079.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+293.52 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPB60R099CPATMA1 IPB60R099CPATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPB60R099CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42ded51491b Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+322.3 грн
2000+ 290.82 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPB60R099CPATMA1 IPB60R099CPATMA1 Виробник : INFINEON INFNS16957-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB60R099CPATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+387.77 грн
Мінімальне замовлення: 10
IPB60R099CPATMA1 IPB60R099CPATMA1 Виробник : INFINEON INFNS16957-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB60R099CPATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+539.44 грн
5+ 463.6 грн
10+ 387.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPB60R099CPATMA1 IPB60R099CPATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPB60R099CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42ded51491b Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V
на замовлення 3008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+567.67 грн
10+ 468.96 грн
100+ 390.82 грн
500+ 323.63 грн
IPB60R099CPATMA1 IPB60R099CPATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB60R099CP_DS_v02_01_EN-3362206.pdf MOSFET N-Ch 650V 31A D2PAK-2 CoolMOS CP
на замовлення 612 шт:
термін постачання 180-189 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+625.25 грн
10+ 528.96 грн
25+ 434.87 грн
100+ 375.64 грн
250+ 374.94 грн
500+ 341.49 грн
1000+ 306.64 грн
IPB60R099CPATMA1 IPB60R099CPATMA1 Виробник : Infineon Technologies 243726483621547dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a304412b4079.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+655.73 грн
22+ 568.56 грн
25+ 511.93 грн
100+ 372.63 грн
Мінімальне замовлення: 19
IPB60R099CPATMA1 IPB60R099CPATMA1 Виробник : Infineon Technologies 243726483621547dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a304412b4079.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+660.19 грн
10+ 565.53 грн
25+ 512.95 грн
100+ 454.06 грн
250+ 395.86 грн
500+ 356.45 грн
IPB60R099CPATMA1 IPB60R099CPATMA1 Виробник : Infineon Technologies 243726483621547dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a304412b4079.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IPB60R099CPATMA1 IPB60R099CPATMA1 Виробник : Infineon Technologies 243726483621547dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a304412b4079.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IPB60R099CPATMA1 IPB60R099CPATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R099CP-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; 255W; PG-TO263-3-2
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 31A
Power dissipation: 255W
Case: PG-TO263-3-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPB60R099CPATMA1 IPB60R099CPATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R099CP-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; 255W; PG-TO263-3-2
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 31A
Power dissipation: 255W
Case: PG-TO263-3-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній