IPB60R099CPAATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 305.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB60R099CPAATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB60R099CPAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 31A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 255W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 255W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IPB60R099CPAATMA1 за ціною від 311.37 грн до 924.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB60R099CPAATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 31A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPB60R099CPAATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 31A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPB60R099CPAATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 31A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPB60R099CPAATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 31A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPB60R099CPAATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 31A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPB60R099CPAATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB60R099CPAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 255W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 255W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 642 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPB60R099CPAATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 600V 31A D2PAK-2 CoolMOS CPA |
на замовлення 620 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPB60R099CPAATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 255W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V |
на замовлення 455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPB60R099CPAATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB60R099CPAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 255W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 642 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPB60R099CPAATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 31A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPB60R099CPAATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 31A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IPB60R099CPAATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 31A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IPB60R099CPAATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 255W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V |
товар відсутній |