IPB60R099C6 Infineon Technologies
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 462.63 грн |
| 10+ | 390.31 грн |
| 25+ | 308.73 грн |
| 100+ | 273.19 грн |
| 250+ | 266.92 грн |
| 500+ | 250.19 грн |
| 1000+ | 224.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB60R099C6 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO263-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™ C6, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 37.9A, Power dissipation: 278W, Case: PG-TO263-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 99mΩ, Mounting: SMD, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1000 шт.
Інші пропозиції IPB60R099C6
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB60R099C6 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 37.9A Power dissipation: 278W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 99mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1000 шт |
товар відсутній |
|
|
|
IPB60R099C6 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 37.9A Power dissipation: 278W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 99mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |