IPB530N15N3GATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 79.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB530N15N3GATMA1 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 21A; 68W; PG-TO263-3, Case: PG-TO263-3, Mounting: SMD, Technology: OptiMOS™ 3, Drain-source voltage: 150V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 53mΩ, Power dissipation: 68W, Polarisation: unipolar, Drain current: 21A, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IPB530N15N3GATMA1 за ціною від 85.97 грн до 160.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPB530N15N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK |
на замовлення 1750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPB530N15N3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 21A; 68W; PG-TO263-3 Case: PG-TO263-3 Mounting: SMD Technology: OptiMOS™ 3 Drain-source voltage: 150V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 53mΩ Power dissipation: 68W Polarisation: unipolar Drain current: 21A Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
IPB530N15N3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 21A; 68W; PG-TO263-3 Case: PG-TO263-3 Mounting: SMD Technology: OptiMOS™ 3 Drain-source voltage: 150V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 53mΩ Power dissipation: 68W Polarisation: unipolar Drain current: 21A Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |