IPB50R140CPATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 199.27 грн |
| 10+ | 192.69 грн |
| 25+ | 188.43 грн |
| 100+ | 180.4 грн |
| 250+ | 165.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB50R140CPATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB50R140CPATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 23 A, 0.13 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 550V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 23A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 192W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IPB50R140CPATMA1 за ціною від 161.5 грн до 405.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPB50R140CPATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 550V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 338 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPB50R140CPATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB50R140CPATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 23 A, 0.13 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 550V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 192W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPB50R140CPATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB50R140CPATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 23 A, 0.13 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 550V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 192W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPB50R140CPATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 550V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IPB50R140CPATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 550V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IPB50R140CPATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.1A; 25W; PG-TO263-3 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Case: PG-TO263-3 Technology: CoolMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 500V Drain current: 3.1A On-state resistance: 0.14Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 25W кількість в упаковці: 1000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IPB50R140CPATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 550V 23A TO263-3 |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IPB50R140CPATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 550V 23A TO263-3 |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IPB50R140CPATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 550V 23A D2PAK-2 CoolMOS CP |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IPB50R140CPATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.1A; 25W; PG-TO263-3 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Case: PG-TO263-3 Technology: CoolMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 500V Drain current: 3.1A On-state resistance: 0.14Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 25W |
товар відсутній |