![IPB45N04S4L-08 IPB45N04S4L-08](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4845/MFG_2156_MJD32CTF-ON.jpg)
IPB45N04S4L-08 Infineon Technologies
![INFNS15043-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw](/images/adobe-acrobat.png)
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
693+ | 30.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB45N04S4L-08 Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 45A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 17µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +20V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IPB45N04S4L-08
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPB45N04S4L-08 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 435 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |