IPB407N30NATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 300V 44A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40.7mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7180 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 379.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB407N30NATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB407N30NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 44 A, 0.036 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 300W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IPB407N30NATMA1 за ціною від 356.12 грн до 668.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB407N30NATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MV POWER MOS |
на замовлення 699 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPB407N30NATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB407N30NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 44 A, 0.036 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 300W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 807 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPB407N30NATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 300V 44A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40.7mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7180 pF @ 100 V |
на замовлення 1181 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPB407N30NATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 300V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IPB407N30NATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 44A; 300W; PG-TO263-3 Mounting: SMD Drain-source voltage: 300V Drain current: 44A On-state resistance: 40.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO263-3 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IPB407N30NATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 44A; 300W; PG-TO263-3 Mounting: SMD Drain-source voltage: 300V Drain current: 44A On-state resistance: 40.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO263-3 |
товар відсутній |