Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB35N10S3L26ATMA1
IPB35N10S3L26ATMA1

IPB35N10S3L26ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPB35N10S3L_26-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304330046413013008a994583e77 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.3mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 39µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+69.78 грн
2000+ 63.84 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB35N10S3L26ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.3mOhm @ 35A, 10V, Power Dissipation (Max): 71W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 39µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IPB35N10S3L26ATMA1 за ціною від 61.09 грн до 158.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPB35N10S3L26ATMA1 IPB35N10S3L26ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB35N10S3L_26-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304330046413013008a994583e77 Description: MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.3mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 39µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+147.27 грн
10+ 117.57 грн
100+ 93.6 грн
500+ 74.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPB35N10S3L26ATMA1 IPB35N10S3L26ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB35N10S3L_26_DataSheet_v01_02_EN-3362447.pdf MOSFET N-Ch 100V 35A D2PAK-2 OptiMOS-T
на замовлення 4983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+158.83 грн
10+ 129.79 грн
100+ 89.58 грн
250+ 86.06 грн
500+ 75.48 грн
1000+ 64.26 грн
2000+ 61.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPB35N10S3L26ATMA1 Виробник : Infineon Infineon-IPB35N10S3L_26-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304330046413013008a994583e77
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPB35N10S3L26ATMA1 IPB35N10S3L26ATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb35n10s3l-26-datasheet-1_1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній