Технічний опис IPB25N06S3L-22 infineon
Description: MOSFET N-CH 55V 25A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.3mOhm @ 17A, 10V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IPB25N06S3L-22
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
IPB25N06S3L-22 | Виробник : infineon |
![]() |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
![]() |
IPB25N06S3L-22 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IPB25N06S3L-22 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.3mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260 pF @ 25 V |
товар відсутній |