Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB180P04P4L02ATMA2
IPB180P04P4L02ATMA2

IPB180P04P4L02ATMA2 Infineon Technologies

infineon-ipb180p04p4l-02-datasheet-v01_04-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Power MOSFET Transistor
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+128.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB180P04P4L02ATMA2 Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 410µA, Supplier Device Package: PG-TO263-7-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +5V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 286 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18700 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IPB180P04P4L02ATMA2 за ціною від 131.91 грн до 306.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPB180P04P4L02ATMA2 IPB180P04P4L02ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB180P04P4L-02-DataSheet-v01_04-EN.pdf?fileId=5546d4627aa5d4f5017b784846aa726d Description: MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 286 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18700 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+145.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPB180P04P4L02ATMA2 IPB180P04P4L02ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB180P04P4L-02-DataSheet-v01_04-EN.pdf?fileId=5546d4627aa5d4f5017b784846aa726d Description: MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 286 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18700 pF @ 25 V
на замовлення 1083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+281.56 грн
10+ 227.93 грн
100+ 184.41 грн
500+ 153.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPB180P04P4L02ATMA2 IPB180P04P4L02ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB180P04P4L_02_DataSheet_v01_04_EN-3362376.pdf MOSFET MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+306.14 грн
10+ 253.09 грн
25+ 217.26 грн
100+ 178.46 грн
250+ 173.53 грн
500+ 162.24 грн
1000+ 131.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPB180P04P4L02ATMA2 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB180P04P4L-02-DataSheet-v01_04-EN.pdf?fileId=5546d4627aa5d4f5017b784846aa726d IPB180P04P4L02ATMA SMD P channel transistors
товар відсутній