IPB180P04P403ATMA2 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17640 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 144 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB180P04P403ATMA2 Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA, Supplier Device Package: PG-TO263-7-3, Grade: Automotive, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17640 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції IPB180P04P403ATMA2 за ціною від 126.14 грн до 302.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPB180P04P403ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA Supplier Device Package: PG-TO263-7-3 Grade: Automotive Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17640 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPB180P04P403ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N |
на замовлення 6712 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPB180P04P403ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Power MOSFET Transistor |
товар відсутній |