Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB180N10S403ATMA1
IPB180N10S403ATMA1

IPB180N10S403ATMA1 Infineon Technologies

IPB180N10S4-03-Data-Sheet-10-Infineon.pdf?fileId=5546d46147a9c2e401480c3417b40af7 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10120 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+191.72 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB180N10S403ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA, Supplier Device Package: PG-TO263-7-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10120 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IPB180N10S403ATMA1 за ціною від 161.51 грн до 440.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPB180N10S403ATMA1 IPB180N10S403ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB180N10S4_03_DataSheet_v01_10_EN-3362476.pdf MOSFET MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+403.44 грн
10+ 334.63 грн
25+ 282.55 грн
100+ 235.46 грн
250+ 228.43 грн
500+ 220.7 грн
1000+ 179.23 грн
IPB180N10S403ATMA1 IPB180N10S403ATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPB180N10S4-03-Data-Sheet-10-Infineon.pdf?fileId=5546d46147a9c2e401480c3417b40af7 Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10120 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+440.98 грн
10+ 285.1 грн
100+ 205.93 грн
500+ 161.51 грн
IPB180N10S403ATMA1 IPB180N10S403ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 401ipb180n10s4-03-data-sheet-10-infineon.pdffolderiddb3a30431f848401.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній