IPB180N03S4L01ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 239 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17600 pF @ 25 V
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 310.47 грн |
| 10+ | 197.89 грн |
| 100+ | 140.26 грн |
| 500+ | 108.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB180N03S4L01ATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 188W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 140µA, Supplier Device Package: PG-TO263-7-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 239 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17600 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IPB180N03S4L01ATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB180N03S4L01ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|
 |
IPB180N03S4L01ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|
|
|
IPB180N03S4L01ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|
|
|
IPB180N03S4L01ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 140µA Supplier Device Package: PG-TO263-7-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 239 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17600 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
 |
IPB180N03S4L01ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFET_(20V 40V) |
товар відсутній |