Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB156N22NFDATMA1
IPB156N22NFDATMA1

IPB156N22NFDATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipb156n22nfd-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625d5945ed015da.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20A
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+259.23 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB156N22NFDATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 220V 72A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 220 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6930 pF @ 110 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110.

Інші пропозиції IPB156N22NFDATMA1 за ціною від 275.1 грн до 578.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPB156N22NFDATMA1 IPB156N22NFDATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB156N22NFD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625d5945ed015dacb0bcce22e7 Description: MOSFET N-CH 220V 72A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 220 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6930 pF @ 110 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110
на замовлення 1036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+497.5 грн
10+ 410.67 грн
100+ 342.27 грн
500+ 283.42 грн
IPB156N22NFDATMA1 IPB156N22NFDATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB156N22NFD-DS-v02_00-EN-1274371.pdf MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS
на замовлення 3985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+578.54 грн
10+ 489.15 грн
25+ 402.78 грн
100+ 354.11 грн
250+ 332.94 грн
500+ 313.19 грн
1000+ 275.1 грн
IPB156N22NFDATMA1 IPB156N22NFDATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb156n22nfd-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625d5945ed015da.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A
товар відсутній
IPB156N22NFDATMA1 IPB156N22NFDATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb156n22nfd-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625d5945ed015da.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A
товар відсутній
IPB156N22NFDATMA1 IPB156N22NFDATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB156N22NFD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625d5945ed015dacb0bcce22e7 Description: MOSFET N-CH 220V 72A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 220 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6930 pF @ 110 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110
товар відсутній