IPB144N12N3GATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 56.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB144N12N3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB144N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 41 A, 0.0123 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 41A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 107W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IPB144N12N3GATMA1 за ціною від 64.8 грн до 172.2 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB144N12N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 120V 56A D2PAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 56A, 10V Power Dissipation (Max): 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 61µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 60 V |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPB144N12N3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB144N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 41 A, 0.0123 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 41A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 566 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPB144N12N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 120V 56A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 56A, 10V Power Dissipation (Max): 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 61µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 60 V |
на замовлення 5149 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPB144N12N3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB144N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 41 A, 0.0123 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 41A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 566 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPB144N12N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 120V 56A D2PAK-2 OptiMOS 3 |
на замовлення 4138 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPB144N12N3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 56A; 107W; PG-TO263-3 Case: PG-TO263-3 Polarisation: unipolar On-state resistance: 14.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 107W Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Drain-source voltage: 120V Drain current: 56A кількість в упаковці: 1000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IPB144N12N3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 56A; 107W; PG-TO263-3 Case: PG-TO263-3 Polarisation: unipolar On-state resistance: 14.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 107W Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Drain-source voltage: 120V Drain current: 56A |
товар відсутній |