IPB123N10N3GATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 44.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB123N10N3GATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 46A, 10V, Power Dissipation (Max): 94W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V.
Інші пропозиції IPB123N10N3GATMA1 за ціною від 58.12 грн до 148.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB123N10N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 100V 58A D2PAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPB123N10N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V |
на замовлення 5510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPB123N10N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 100V 58A D2PAK-2 OptiMOS 3 |
на замовлення 1998 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPB123N10N3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 58A; 94W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 58A Power dissipation: 94W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.3mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IPB123N10N3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 58A; 94W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 58A Power dissipation: 94W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.3mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |