Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB120N10S405ATMA1
IPB120N10S405ATMA1

IPB120N10S405ATMA1 Infineon Technologies

IPP_B_I120N10S4-05-Data-Sheet-10-Infineon.pdf?fileId=5546d46147a9c2e401480cf161070b67 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+126.56 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB120N10S405ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB120N10S405ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0042 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 190W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IPB120N10S405ATMA1 за ціною від 89.53 грн до 313.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPB120N10S405ATMA1 IPB120N10S405ATMA1 Виробник : INFINEON 3974500.pdf Description: INFINEON - IPB120N10S405ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0042 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 20116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+190.7 грн
250+ 176.35 грн
500+ 145.15 грн
1000+ 116.66 грн
3000+ 91.57 грн
13000+ 89.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPB120N10S405ATMA1 IPB120N10S405ATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPP_B_I120N10S4-05-Data-Sheet-10-Infineon.pdf?fileId=5546d46147a9c2e401480cf161070b67 Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+190.76 грн
10+ 154.01 грн
100+ 124.6 грн
500+ 114.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPB120N10S405ATMA1 IPB120N10S405ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPP_B_I120N10S4_05_DataSheet_v01_10_EN-3362583.pdf MOSFETs N-CHANNEL 100+
на замовлення 15922 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+204.92 грн
10+ 169.54 грн
100+ 121.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPB120N10S405ATMA1 IPB120N10S405ATMA1 Виробник : INFINEON 3974500.pdf Description: INFINEON - IPB120N10S405ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0042 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 20116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+313.36 грн
10+ 235.02 грн
100+ 190.7 грн
250+ 176.35 грн
500+ 145.15 грн
1000+ 116.66 грн
3000+ 91.57 грн
13000+ 89.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPB120N10S405ATMA1 IPB120N10S405ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 388ipp_b_i120n10s4-05-data-sheet-10-infineon.pdffolderiddb3a30431f84.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній