Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB120N08S404ATMA1
IPB120N08S404ATMA1

IPB120N08S404ATMA1 Infineon Technologies

IPP_B_I120N08S4-04-Data-Sheet-10-Infineon.pdf?fileId=5546d4614755559a0147638e7ed704fd Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+269.35 грн
10+ 218.08 грн
100+ 176.45 грн
500+ 147.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB120N08S404ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 179W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IPB120N08S404ATMA1 за ціною від 128.38 грн до 289.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPB120N08S404ATMA1 IPB120N08S404ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPP_B_I120N08S4_04_DataSheet_v01_10_EN-3362851.pdf MOSFET N-CHANNEL 75/80V
на замовлення 2549 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+289.68 грн
10+ 240.12 грн
25+ 196.8 грн
100+ 168.59 грн
250+ 159.42 грн
500+ 149.54 грн
1000+ 128.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPB120N08S404ATMA1 IPB120N08S404ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 178ipp_b_i120n08s4-04-data-sheet-10-infineon.pdffolderid5546d4614755.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IPB120N08S404ATMA1 IPB120N08S404ATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPP_B_I120N08S4-04-Data-Sheet-10-Infineon.pdf?fileId=5546d4614755559a0147638e7ed704fd Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній