Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB117N20NFDATMA1
IPB117N20NFDATMA1

IPB117N20NFDATMA1 Infineon Technologies

DS_IPB117N20NFD_2_0.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a3043440adf7501440c8377500152 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 84A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 84A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6650 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+228.42 грн
2000+ 207.11 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB117N20NFDATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 200V 84A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 84A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6650 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPB117N20NFDATMA1 за ціною від 217.44 грн до 480.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPB117N20NFDATMA1 IPB117N20NFDATMA1 Виробник : Infineon Technologies 4744ds_ipb117n20nfd_2_0.pdffolderiddb3a304325305e6d012596c6ca7b290afi.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+258.55 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPB117N20NFDATMA1 IPB117N20NFDATMA1 Виробник : Infineon Technologies DS_IPB117N20NFD_2_0.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a3043440adf7501440c8377500152 Description: MOSFET N-CH 200V 84A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 84A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6650 pF @ 100 V
на замовлення 3584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+441.77 грн
10+ 357.24 грн
100+ 288.99 грн
500+ 241.08 грн
IPB117N20NFDATMA1 IPB117N20NFDATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB117N20NFD_DS_v02_00_en-1731707.pdf MOSFET N-Ch 200V 84A D2PAK-2
на замовлення 2152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+480.52 грн
10+ 397.52 грн
25+ 342.18 грн
100+ 280.16 грн
500+ 248.8 грн
1000+ 217.44 грн
IPB117N20NFDATMA1 IPB117N20NFDATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPB117N20NFD-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 84A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 84A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPB117N20NFDATMA1 IPB117N20NFDATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPB117N20NFD-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 84A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 84A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній