IPB110N20N3LFATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 326.46 грн |
| 2000+ | 294.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB110N20N3LFATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 88A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 260µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPB110N20N3LFATMA1 за ціною від 290.28 грн до 845.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB110N20N3LFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPB110N20N3LFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPB110N20N3LFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 88A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 260µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V |
на замовлення 4762 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPB110N20N3LFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N |
на замовлення 2508 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPB110N20N3LFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 741 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPB110N20N3LFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IPB110N20N3LFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |