![IPB110N20N3LF IPB110N20N3LF](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/D5/03/80/00/0/536669_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=bff37a10eddb1aa21e864827ca329ef1b1fecb8b)
IPB110N20N3LF INFINEON TECHNOLOGIES
![IPB110N20N3LF.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 61A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 61A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB110N20N3LF INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 61A; 250W; PG-TO263-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: OptiMOS™ 3, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 200V, Drain current: 61A, Power dissipation: 250W, Case: PG-TO263-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 11mΩ, Mounting: SMD, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IPB110N20N3LF
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPB110N20N3LF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 61A; 250W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 61A Power dissipation: 250W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |